半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）推出一款适用於600V高耐压GaN HEMT驱动的绝缘闸极驱动器IC「BM6GD11BFJ-LB」。透过与本产品组合使用，可使GaN元件在高频、高速开关过程中实现更稳定的驱动，有助马达和伺服器电源等大电流应用进一步缩减体积并提高效率。

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新产品是ROHM首款针对高耐压GaN HEMT的绝缘闸极驱动器IC。在电压反覆急遽升降的开关工作中，使用本产品可将元件与控制电路隔离，确保讯号的安全传输。

透过ROHM自主开发的On-chip绝缘技术，新产品能有效降低寄生电容，实现高达2MHz的高频驱动。藉由充分发挥GaN元件的高速开关特性，不仅有助应用产品更节能和实现更高性能，更可透过周边元件的小型化来减少安装面积。

另外绝缘闸极驱动器IC的抗杂讯性能指标：Common-Mode Transient Immunity（CMTI）*1更达到了150V/ns（奈秒），是传统产品的1.5倍，可有效防止GaN HEMT开关时高转换速率所引发的误动作，有助系统实现稳定控制。此外最小脉冲宽度较传统产品缩减33%，导通时间缩短至65ns。因此虽然频率更高却仍可确保最小占空比，将损耗控制在更低程度。

GaN元件的闸极驱动电压范围为4.5V～6.0V，绝缘耐压为2500Vrms，新产品可充分发挥高耐压GaN元件（包括ROHM EcoGaN?系列产品中新增的650V耐压GaN HEMT「GNP2070TD-Z」）的性能潜力。输出端的消耗电流仅0.5mA（最大值），达到业界顶级低功耗水准，并且可有效降低待机功耗。