半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出一款適用於600V高耐壓GaN HEMT驅動的絕緣閘極驅動器IC「BM6GD11BFJ-LB」。透過與本產品組合使用，可使GaN元件在高頻、高速開關過程中實現更穩定的驅動，有助馬達和伺服器電源等大電流應用進一步縮減體積並提高效率。

ROHM開始量產適合高耐壓GaN元件驅動的絕緣閘極驅動器IC

新產品是ROHM首款針對高耐壓GaN HEMT的絕緣閘極驅動器IC。在電壓反覆急遽升降的開關工作中，使用本產品可將元件與控制電路隔離，確保訊號的安全傳輸。

透過ROHM自主開發的On-chip絕緣技術，新產品能有效降低寄生電容，實現高達2MHz的高頻驅動。藉由充分發揮GaN元件的高速開關特性，不僅有助應用產品更節能和實現更高性能，更可透過週邊元件的小型化來減少安裝面積。

另外絕緣閘極驅動器IC的抗雜訊性能指標：Common-Mode Transient Immunity（CMTI）*1更達到了150V/ns（奈秒），是傳統產品的1.5倍，可有效防止GaN HEMT開關時高轉換速率所引發的誤動作，有助系統實現穩定控制。此外最小脈衝寬度較傳統產品縮減33%，導通時間縮短至65ns。因此雖然頻率更高卻仍可確保最小占空比，將損耗控制在更低程度。

GaN元件的閘極驅動電壓範圍為4.5V～6.0V，絕緣耐壓為2500Vrms，新產品可充分發揮高耐壓GaN元件（包括ROHM EcoGaN系列產品中新增的650V耐壓GaN HEMT「GNP2070TD-Z」）的性能潛力。輸出端的消耗電流僅0.5mA（最大值），達到業界頂級低功耗水準，並且可有效降低待機功耗。