半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）推出30V耐压共源Nch MOSFET*1新产品「AW2K21」，封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm，导通电阻*2低至2.0mΩ（Typ.），达到业界顶级水准。

ROHM推出业界顶级超低导通电阻小型MOSFET

新产品采用ROHM独家结构，不仅提高元件集约度，更降低单位晶片面积的导通电阻。另外透过在单一元件中内建双MOSFET结构的设计，仅1颗新产品即可满足双向供电电路所需的双向保护需求。

新产品中的ROHM独家结构能够将通常垂直沟槽MOS结构中，位於背面的汲极引脚置於元件表面，并采用了WLCSP*3封装。WLCSP能够增加元件内部晶片面积的比例，并降低新产品的单位面积导通电阻。导通电阻的降低不仅减少了功率损耗，更有助支援大电流，使新产品能够以超小体积支援大功率快速充电。例如对小型设备的双向供电电路进行比较後发现，使用市场竞品时需要2颗3.3mm×3.3mm的产品，而使用新产品时仅需1颗2.0mm×2.0mm的产品，元件面积可减少约81％，导通电阻可降低约33％。即使与通常被认为导通电阻较低的同等尺寸GaN HEMT*4相比，新产品的导通电阻也降低了约50％。因此此款兼具低导通电阻和超小体积的「AW2K21」将非常有助降低应用产品的功耗并节省空间。

另外新产品还可作为负载开关应用中的单向保护MOSFET使用，在此情况下也实现了业界顶级导通电阻。

新产品已於2025年4月开始暂以每月50万个的规模投入量产（样品价格500日元/个，未税），并已开始透过电商平台销售。

ROHM目前亦在开发更小体积的1.2mm×1.2mm产品。今後ROHM将继续致力提供更节省空间、并进一步提升效率的产品，助力应用产品小型化和节能化发展，为实现永续发展社会贡献力量。