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HBM4加速AI创新发展 美光12层堆叠HBM4送样多家客户 (2025.06.12)
随着生成式 AI 蓬勃发展，推动资料中心与云端运算能力不断向上突破，高频宽记忆体（HBM）扮演的角色变得前所未有地关键。美光科技12层堆叠、容量36GB的HBM4记忆体已送样给多家客户，标志着AI运算架构进入全新里程 |
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意法半导体推出创新记忆体技术，加速新世代车用微控制器开发与演进 (2025.05.12)
服务横跨多重电子应用领域之全球半导体领导厂商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出具备 xMemory 的 Stellar 微控制器，这项新一代延展性记忆体已内嵌於 Stellar 车用微控制器中，将彻底改变软体定义车辆（SDV）与新世代电动化平台开发中具挑战性的流程 |
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创新3D缓冲记忆体 助力AI与机器学习 (2025.05.06)
imec的研究显示，包含氧化????锌（IGZO）传导通道的3D整合式电荷耦合元件（CCD）记忆体是绝隹的潜力元件。 |
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扩展AI丛集的关键挑战 (2025.05.05)
拥有资料中心的企业，进行AI部署只是时间问题。本文将探讨扩展AI丛集的关键挑战，并揭示为何 「网路是新的瓶颈」。 |
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SEMI：2024年半导体设备销售增10% 上看1,171 亿美元创新高 (2025.04.17)
展??美国总统川普即将宣布半导体关税措施，如何评估2025年半导体设备业兴衰的基期更为重要！依SEMI国际半导体产业协会最新公布2024年全球半导体制造设备销售总额，已由2023年的1,063亿美元成长10%，来到1,171亿美元新高，包含中国大陆地区的加码投资也是一大动力 |
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VLSI TSA研讨会4月将登场 聚焦高效能运算、矽光子、量子计算 (2025.03.13)
随着全球半导体技术持续推进，AI、量子计算、高效能运算（HPC）等技术发展正驱动产业革新，今年由工研院主办第42年的「国际超大型积体电路技术、系统暨应用研讨会」（VLSI TSA），即将於4月21~24日於新竹国宾饭店登场 |
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??侠与SanDisk携手突破3D快闪记忆体技术 NAND速度达4.8Gb/s (2025.02.20)
Kioxia Corporation（??侠）与SanDisk近日共同宣布，在3D快闪记忆体技术上取得重大突破，推出业界领先的技术，不仅实现了4.8Gb/s的NAND介面速度，更在功耗和密度方面表现卓越 |
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生成式AI将使智慧手机转为兼具生产力与娱乐功能的多用途平台 (2025.02.10)
在生成式AI出现前，智慧型手机市场的发展主要聚焦於硬体性能升级与摄影、游戏等娱乐应用。然而，这些创新多属於增量式改进，市场竞争趋於饱和，成长空间受限。生成式AI的崛起带来了全新的变革，使智慧型手机不再仅是资讯消费工具，而是转变为能够创造内容、执行语音助手、自动生成图像与文字的智慧型装置 |
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SOT-MRAM记忆体技术重大突破 有??改写电脑快取架构 (2025.02.10)
德国约翰古腾堡大学（JGU）研究团队携手法国Antaios公司，在自旋轨道扭矩（SOT）磁性随机存取记忆体（MRAM）技术上取得关键性进展。这项创新技术展现了取代现有电脑快取记忆体的潜力，为高效能运算开辟新道路 |
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半镶嵌金属化：後段制程的转折点？ (2025.01.03)
五年多前，比利时微电子研究中心（imec）提出了半镶嵌（semi-damascene）这个全新的模组方法，以应对先进技术节点铜双镶嵌制程所面临的RC延迟增加问题。 |
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DRAM制程节点持续微缩并增加层数 HBM容量与性能将进一步提升 (2025.01.02)
生成式AI快速发展，记忆体技术成为推动这一技术突破的关键。生成式 AI 的模型训练与推理需要高速、高频宽及低延迟的记忆体解决方案，以即时处理海量数据。因此，记忆体性能的提升已成为支撑这些应用的核心要素 |
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Weebit Nano授权ReRAM技术给安森美半导体 (2025.01.02)
以色列记忆体技术开发商Weebit Nano Limited宣布，已将其电阻式随机存取记忆体 (ReRAM) 技术授权给安森美半导体。
根据协议条款，Weebit ReRAM IP将整合到安森美半导体的Treo平台中，以提供嵌入式非挥发性记忆体 (NVM) |
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汽车微控制器技术为下一代车辆带来全新突破 (2024.12.26)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）深耕汽车市场已超过30年，为客户提供涵盖典型车辆中多数应用的多元产品与解决方案。随着市场的发展，ST的产品阵容不断精进，其中汽车微控制器（MCU）是关键之一 |
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CEA-Leti首次展示22奈米FD-SOI节点 重新定位铁电记忆体 (2024.12.11)
CEA-Leti工程师在IEDM论坛中首次展示了基於????铁电材料的可扩展电容平台，并将其整合到22奈米FD-SOI技术节点的後端制程(BEOL)中。这项突破性的成果代表了铁电记忆体技术的重大进展，显着提升了嵌入式应用程式的可扩展性，并将铁电RAM (FeRAM)定位为先进节点的竞争性记忆体解决方案 |
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Rambus与美光延长专利授权协议 强化记忆体技术力 (2024.12.11)
半导体IP商Rambus今日宣布，已与美光(Micron )专利授权协议期限延长五年。该延长协议维持现有授权条款，允许Micron在2029年底前广泛使用Rambus专利组合。其他条款和细节保密 |
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??侠发表全新记忆体技术OCTRAM 实现超低功率耗 (2024.12.10)
记忆体商??侠株式会社（Kioxia Corporation），今日宣布开发出全新记忆体技术OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)，这是一种新型 4F2 DRAM，采用具备高导通电流和超低截止电流的氧化物半导体电晶体 |
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HBM应用优势显着 高频半导体测试设备不可或缺 (2024.08.27)
HBM技术将在高效能运算和AI应用中发挥越来越重要的作用。
尽管HBM在性能上具有显着优势，但在设计和测试阶段也面临诸多挑战。
TSV技术是HBM实现高密度互连的关键，但也带来了测试的复杂性 |
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imec采用High-NA EUV技术 展示逻辑与DRAM架构 (2024.08.11)
比利时微电子研究中心（imec），在荷兰费尔德霍温与艾司摩尔（ASML）合作建立的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影实验室中，利用数值孔径0.55的极紫外光曝光机，发表了曝光後的图形化元件结构 |
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Microchip能第五代PCIe固态硬碟控制器系列 可管理企业和资料中心工作负载 (2024.08.06)
人工智慧（AI）的蓬勃发展和云端服务的快速普及正推动对更强大、更高效和更高可靠性的资料中心的需求。为满足日益增长的市场需求，Microchip Technology推出Flashtec NVMe 5016固态硬碟 （SSD） 控制器 |
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美光宣布量产第九代NAND快闪记忆体技术 (2024.07.31)
美光科技宣布，采用第九代(G9) TLC NAND技术的SSD现已开始出货。美光G9 NAND传输速率3.6 GB/s，不论是在个人装置、边缘伺服器，或是企业及云端资料中心，这颗NAND新品均可展现效能，满足人工智慧及其他运用大量资料的使用情境 |
