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ROHM開始量產適合高耐壓GaN元件驅動的絕緣閘極驅動器IC (2025.05.27)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出一款適用於600V高耐壓GaN HEMT驅動的絕緣閘極驅動器IC「BM6GD11BFJ-LB」。透過與本產品組合使用，可使GaN元件在高頻、高速開關過程中實現更穩定的驅動，有助馬達和伺服器電源等大電流應用進一步縮減體積並提高效率 |
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貿澤電子COMPUTEX 2025初登場 聚焦AI與智慧應用新商機 (2025.05.15)
全球領先的電子元件新品與工業自動化產品的授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics)宣布將於5月20日至23日首度亮相COMPUTEX （台北南港展覽館1館#I0102展位）。本次展會，貿澤電子攜手NexCOBOT(NEXCOM Robotic Solutions), Renesas Electronics, TAIYO YUDEN等知名合作夥伴，共同探索AI科技如何驅動未來，掌握最新?業脈動 |
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ROHM推出業界頂級超低導通電阻小型MOSFET (2025.05.15)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產品「AW2K21」，封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm，導通電阻*2低至2.0mΩ（Typ.），達到業界頂級水準。
新產品採用ROHM獨家結構，不僅提高元件集約度，更降低單位晶片面積的導通電阻 |
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ROHM將以E-Mobility與工控應用參展PCIM Europe 2025 (2025.05.14)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）將於2025年5月6日至8日參加在德國紐倫堡舉辦的PCIM（PCIM Expo & Conference）展會暨研討會。該展會是電力電子、智慧移動、可再生能源及能源管理領域的國際頂級盛會 |
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貿澤電子與Analog Devices和Amphenol合作出版探索電動車和未來航空的全新電子書 (2025.05.14)
全球最新電子元件和工業自動化產品的授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 與Analog Devices, Inc. (ADI) 以及Amphenol合作出版全新電子書，探索進階連線能力和半導體裝置在促進航空演進中所擔任的重要角色 |
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AI晶片電壓跌破1V！ 電源設計必須應對『低壓高流』時代 (2025.04.14)
隨著人工智慧（AI）技術的快速發展，生成式AI、深度學習和高效能運算（HPC）的需求激增，AI伺服器的電力需求也隨之大幅提升。特別是AI處理器（如GPU、TPU等）對供電的要求越來越嚴格，不僅需要超低電壓（0.6-1.5V），還必須提供大電流（數百至上千安培），同時確保高暫態響應和低紋波 |
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意法半導體公布公司層級轉型計畫 調整製造據點並優化全球成本 (2025.04.14)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）今日進一步公布其全球製造據點調整計畫的內容。這項行動是 2024 年 10 月所宣布轉型計畫的一部分 |
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意法半導體 65W 氮化鎵轉換器 提供節省空間的高效電源解決方案，適用於成本考量之應用 (2025.04.09)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）新推出之 VIPerGaN65D 反馳式轉換器採用 SOIC16 封裝，能提供極為小巧且具成本效益的電源供應、適配器以及支援 USB-PD（電力傳輸）快充功能的電源，最高可達 65W，並支援通用輸入電壓 |
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電動車充電革新與電源管理技術 (2025.04.08)
電動車充電需求的不斷提升，而電源管理晶片在整個系統中承擔著能量轉換、監控保護以及智能調度等多重功能，是保證充電安全、高效與智能化的關鍵組件。 |
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解析USB4測試挑戰 (2025.04.08)
從8K影音串流到工業物聯網，從電動車智能座艙到邊緣運算節點，這場由USB4介面所驅動的技術革命，正在重塑人類與數位世界的互動方式。 |
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馬自達與ROHM聯合開發採用次世代半導體的車載元件 (2025.03.31)
Mazda Motor Corporation（以下簡稱 馬自達）與ROHM Co., Ltd.（以下簡稱 ROHM）開始聯合開發採用次世代半導體技術—氮化鎵（GaN）功率半導體的車載元件。
馬自達與ROHM自2022年起，在「電驅動單元的開發與生產合作體系」中，一直在推進搭載碳化矽（SiC）功率半導體的逆變器聯合開發 |
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意法半導體 250W MasterGaN 參考設計加速高效與小型化工業電源供應器設計 (2025.03.19)
為加速設計具卓越效率與高功率密度的氮化鎵（GaN）電源供應器（PSUs），服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出了搭載 MasterGaN1L 系統封裝（SiP） 的 EVL250WMG1L 共振轉換器參考設計 |
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報告：2030年全球車用半導體年複合成長率達7.5% (2025.03.17)
根據Persistence的研究資料，受惠於電動車、先進駕駛輔助系統（ADAS）及車聯網技術，全球車用半導體產業迎來快速的發展。預計至2030年將以7.5%年複合成長率持續擴張，。
推動市場成長的關鍵因素多元且相互關聯：車輛電氣化已成為全球汽車產業的發展趨勢 |
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VLSI TSA研討會4月將登場 聚焦高效能運算、矽光子、量子計算 (2025.03.13)
隨著全球半導體技術持續推進，AI、量子計算、高效能運算（HPC）等技術發展正驅動產業革新，今年由工研院主辦第42年的「國際超大型積體電路技術、系統暨應用研討會」（VLSI TSA），即將於4月21~24日於新竹國賓飯店登場 |
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ROHM的EcoGaN被村田製作所集團旗下Murata Power Solutions的AI伺服器電源所採用 (2025.02.27)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN?產品GaN HEMT，被日本先進電子元件、電池和電源製造商村田製作所集團旗下Murata Power Solutions的AI（人工智慧）伺服器電源所採用 |
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ROHM 650V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝 (2025.02.13)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1「GNP2070TD-Z」投入量產。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優異的電流容量和開關特性，因此在工業設備、車載設備以及需要支援大功率的應用領域被陸續採用 |
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電動車、5G、新能源：寬能隙元件大顯身手 (2025.02.10)
隨著運算需求不斷地提高，新興能源也同步崛起，傳統矽基半導體材料逐漸逼近其物理極限，而寬能隙半導體材料以其優越的性能，漸漸走入主流的電子系統設計之中。 |
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高功率元件的創新封裝與熱管理技術 (2025.02.10)
隨著高密度封裝和熱管理技術的進步，我們將看到更高效、更可靠的高功率元件應用於各不同產業，推動技術的持續演進。在這個挑戰與機遇並存的時代，持續的研發投入與技術創新將成為決勝關鍵 |
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高功率元件加速驅動電氣化未來：產業趨勢與挑戰 (2025.02.10)
高功率元件將成為實現全球電氣化未來的重要推動力。
產業需共同應對供應鏈挑戰、降低成本並提升技術創新速度。
最終助力實現更高效、更環保的全球能源管理體系 |
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工研院與台達開發SiC模組 搶攻高功率電子市場 (2025.02.08)
基於現今電動車為了符合低碳永續趨勢及續航力，兼顧在高壓、高溫下穩定運行，使得具備高功率密度的寬能隙化合物半導體（Wide-bandgap Semiconductor；WBG），成為該領域深受關注的元件材料 |
