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矽成4Mbit 靜態隨機存取記憶體進入量產階段 (2001.11.15)
以高速非同步靜態隨機存取記憶體的供應商矽成積體電路日前表示，自去年起開始積極發展的超低耗電SRAM系列。其中待命電流為2uA, 最低工作電壓可達1.65V的4Mbit 靜態隨機存取記憶體(SRAM)已進入量產階段
矽成跨足無線通訊域、研發藍芽基頓與射頻晶片 (2001.01.16)
國內最大SRAM供應商矽成積體電路即將跨足無線通訊領域，矽成表示，藍芽基頻（Baseba nd）與射頻（RF）晶片今年均將就緒，基頻並可於第二季送出樣本﹔矽成並已著手開發無線乙太區域網路晶片，預定明年推出
矽成領先推出8奈秒 4M及2M非同步SRAM (2001.01.03)
矽成(ICSI)日前發表三款為目前市場上最快速-效能可達8奈秒的2M 及4M 的非同步SRAM： IS61LV12816, IS61LV25616 及 IS61LV5128。這是矽成積體電路繼去年第二季領先研發出8奈秒1M非同步SRAM後，再度將記憶體容量成功地往上提升，推出具更高容量的8奈秒非同步SRAM


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