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恩智浦新推電晶體提升LDMOS基地台功率效能 (2008.05.19)
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）推出BLC7G22L（S）-130基地台功率電晶體，這是恩智浦的第七代橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor；LDMOS）技術的產品，專為高功耗和Doherty放大器應用進行最佳化
恩智浦半導體突破性提升LDMOS基地台功率效能 (2008.05.16)
恩智浦半導體(NXP Semiconductors)近日推出BLC7G22L（S）-130基地台功率電晶體，這是恩智浦應用第七代橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor；LDMOS）技術的首款產品，專為高功耗和Doherty放大器應用進行最佳化
報告:2012年全球高功率RF半導體市場達10億美元 (2008.01.08)
外電消息報導，市場研究公司ABI Research日前發表一份最新的研究報告表示，隨著無線基礎建設的發展，至2012年時，全球高功率RF半導體市場規模將達到10億美元。 ABI Research的研究報告中，將RF功率半導體市場分為6個市場和24個子市場


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