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HBM4加速AI創新發展 美光12層堆疊HBM4送樣多家客戶 (2025.06.12)
隨著生成式 AI 蓬勃發展，推動資料中心與雲端運算能力不斷向上突破，高頻寬記憶體（HBM）扮演的角色變得前所未有地關鍵。美光科技12層堆疊、容量36GB的HBM4記憶體已送樣給多家客戶，標誌著AI運算架構進入全新里程 |
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意法半導體推出創新記憶體技術，加速新世代車用微控制器開發與演進 (2025.05.12)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出具備 xMemory 的 Stellar 微控制器，這項新一代延展性記憶體已內嵌於 Stellar 車用微控制器中，將徹底改變軟體定義車輛（SDV）與新世代電動化平台開發中具挑戰性的流程 |
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創新3D緩衝記憶體 助力AI與機器學習 (2025.05.06)
imec的研究顯示，包含氧化銦鎵鋅（IGZO）傳導通道的3D整合式電荷耦合元件（CCD）記憶體是絕佳的潛力元件。 |
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擴展AI叢集的關鍵挑戰 (2025.05.05)
擁有資料中心的企業，進行AI部署只是時間問題。本文將探討擴展AI叢集的關鍵挑戰，並揭示為何 「網路是新的瓶頸」。 |
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SEMI：2024年半導體設備銷售增10% 上看1,171 億美元創新高 (2025.04.17)
展望美國總統川普即將宣布半導體關稅措施，如何評估2025年半導體設備業興衰的基期更為重要！依SEMI國際半導體產業協會最新公布2024年全球半導體製造設備銷售總額，已由2023年的1,063億美元成長10%，來到1,171億美元新高，包含中國大陸地區的加碼投資也是一大動力 |
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VLSI TSA研討會4月將登場 聚焦高效能運算、矽光子、量子計算 (2025.03.13)
隨著全球半導體技術持續推進，AI、量子計算、高效能運算（HPC）等技術發展正驅動產業革新，今年由工研院主辦第42年的「國際超大型積體電路技術、系統暨應用研討會」（VLSI TSA），即將於4月21~24日於新竹國賓飯店登場 |
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鎧俠與SanDisk攜手突破3D快閃記憶體技術 NAND速度達4.8Gb/s (2025.02.20)
Kioxia Corporation（鎧俠）與SanDisk近日共同宣布，在3D快閃記憶體技術上取得重大突破，推出業界領先的技術，不僅實現了4.8Gb/s的NAND介面速度，更在功耗和密度方面表現卓越 |
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生成式AI將使智慧手機轉為兼具生產與娛樂的多用途平台 (2025.02.10)
在生成式AI出現前，智慧型手機市場的發展主要聚焦於硬體性能升級與攝影、遊戲等娛樂應用。然而，這些創新多屬於增量式改進，市場競爭趨於飽和，成長空間受限。生成式AI的崛起帶來了全新的變革，使智慧型手機不再僅是資訊消費工具，而是轉變為能夠創造內容、執行語音助手、自動生成圖像與文字的智慧型裝置 |
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SOT-MRAM記憶體技術重大突破 有望改寫電腦快取架構 (2025.02.10)
德國約翰古騰堡大學（JGU）研究團隊攜手法國Antaios公司，在自旋軌道扭矩（SOT）磁性隨機存取記憶體（MRAM）技術上取得關鍵性進展。這項創新技術展現了取代現有電腦快取記憶體的潛力，為高效能運算開闢新道路 |
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半鑲嵌金屬化：後段製程的轉折點？ (2025.01.03)
五年多前，比利時微電子研究中心（imec）提出了半鑲嵌（semi-damascene）這個全新的模組方法，以應對先進技術節點銅雙鑲嵌製程所面臨的RC延遲增加問題。 |
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DRAM製程節點持續微縮並增加層數 HBM容量與性能將進一步提升 (2025.01.02)
生成式AI快速發展，記憶體技術成為推動這一技術突破的關鍵。生成式 AI 的模型訓練與推理需要高速、高頻寬及低延遲的記憶體解決方案，以即時處理海量數據。因此，記憶體性能的提升已成為支撐這些應用的核心要素 |
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Weebit Nano授權ReRAM技術給安森美半導體 (2025.01.02)
以色列記憶體技術開發商Weebit Nano Limited宣布，已將其電阻式隨機存取記憶體 (ReRAM) 技術授權給安森美半導體。
根據協議條款，Weebit ReRAM IP將整合到安森美半導體的Treo平台中，以提供嵌入式非揮發性記憶體 (NVM) |
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汽車微控制器技術為下一代車輛帶來全新突破 (2024.12.26)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）深耕汽車市場已超過30年，為客戶提供涵蓋典型車輛中多數應用的多元產品與解決方案。隨著市場的發展，ST的產品陣容不斷精進，其中汽車微控制器（MCU）是關鍵之一 |
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CEA-Leti首次展示22奈米FD-SOI節點 重新定位鐵電記憶體 (2024.12.11)
CEA-Leti工程師在IEDM論壇中首次展示了基於鉿鋯鐵電材料的可擴展電容平台，並將其整合到22奈米FD-SOI技術節點的後端製程(BEOL)中。這項突破性的成果代表了鐵電記憶體技術的重大進展，顯著提升了嵌入式應用程式的可擴展性，並將鐵電RAM (FeRAM)定位為先進節點的競爭性記憶體解決方案 |
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Rambus與美光延長專利授權協議 強化記憶體技術力 (2024.12.11)
半導體IP商Rambus今日宣布，已與美光(Micron )專利授權協議期限延長五年。該延長協議維持現有授權條款，允許Micron在2029年底前廣泛使用Rambus專利組合。其他條款和細節保密 |
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鎧俠發表全新記憶體技術OCTRAM 實現超低功率耗 (2024.12.10)
記憶體商鎧俠株式會社（Kioxia Corporation），今日宣布開發出全新記憶體技術OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)，這是一種新型 4F2 DRAM，採用具備高導通電流和超低截止電流的氧化物半導體電晶體 |
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HBM應用優勢顯著 高頻半導體測試設備不可或缺 (2024.08.27)
HBM技術將在高效能運算和AI應用中發揮越來越重要的作用。
儘管HBM在性能上具有顯著優勢，但在設計和測試階段也面臨諸多挑戰。
TSV技術是HBM實現高密度互連的關鍵，但也帶來了測試的複雜性 |
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imec採用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構 (2024.08.11)
比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發表了曝光後的圖形化元件結構 |
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Microchip能第五代PCIe固態硬碟控制器系列 可管理企業和資料中心工作負載 (2024.08.06)
人工智慧（AI）的蓬勃發展和雲端服務的快速普及正推動對更強大、更高效和更高可靠性的資料中心的需求。為滿足日益增長的市場需求，Microchip Technology推出Flashtec NVMe 5016固態硬碟 （SSD） 控制器 |
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美光宣布量產第九代NAND快閃記憶體技術 (2024.07.31)
美光科技宣布，採用第九代(G9) TLC NAND技術的SSD現已開始出貨。美光G9 NAND傳輸速率3.6 GB/s，不論是在個人裝置、邊緣伺服器，或是企業及雲端資料中心，這顆NAND新品均可展現效能，滿足人工智慧及其他運用大量資料的使用情境 |
