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ROHM开始量产适合高耐压GaN元件驱动的绝缘闸极驱动器IC (2025.05.27)
半导体制造商ROHM(总公司:日本京都市)推出一款适用於600V高耐压GaN HEMT驱动的绝缘闸极驱动器IC「BM6GD11BFJ-LB」。透过与本产品组合使用,可使GaN元件在高频、高速开关过程中实现更稳定的驱动,有助马达和伺服器电源等大电流应用进一步缩减体积并提高效率
贸泽电子COMPUTEX 2025初登场 聚焦AI与智慧应用新商机 (2025.05.15)
全球领先的电子元件新品与工业自动化产品的授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics)宣布将於5月20日至23日首度亮相COMPUTEX (台北南港展览馆1馆#I0102展位)。本次展会,贸泽电子携手NexCOBOT(NEXCOM Robotic Solutions), Renesas Electronics, TAIYO YUDEN等知名合作夥伴,共同探索AI科技如何驱动未来,掌握最新?业脉动
ROHM推出业界顶级超低导通电阻小型MOSFET (2025.05.15)
半导体制造商ROHM(总公司:日本京都市)推出30V耐压共源Nch MOSFET*1新产品「AW2K21」,封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm,导通电阻*2低至2.0mΩ(Typ.),达到业界顶级水准。 新产品采用ROHM独家结构,不仅提高元件集约度,更降低单位晶片面积的导通电阻
ROHM将以E-Mobility与工控应用叁展PCIM Europe 2025 (2025.05.14)
半导体制造商ROHM(总公司:日本京都市)将於2025年5月6日至8日叁加在德国纽伦堡举办的PCIM(PCIM Expo & Conference)展会暨研讨会。该展会是电力电子、智慧移动、可再生能源及能源管理领域的国际顶级盛会
贸泽电子与Analog Devices和Amphenol合作出版探索电动车和未来航空的全新电子书 (2025.05.14)
全球最新电子元件和工业自动化产品的授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 与Analog Devices, Inc. (ADI) 以及Amphenol合作出版全新电子书,探索进阶连线能力和半导体装置在促进航空演进中所担任的重要角色
AI晶片电压跌破1V! 电源设计必须应对『低压高流』时代 (2025.04.14)
随着人工智慧(AI)技术的快速发展,生成式AI、深度学习和高效能运算(HPC)的需求激增,AI伺服器的电力需求也随之大幅提升。特别是AI处理器(如GPU、TPU等)对供电的要求越来越严格,不仅需要超低电压(0.6-1.5V),还必须提供大电流(数百至上千安培),同时确保高暂态响应和低纹波
意法半导体公布公司层级转型计画,调整制造据点布局并优化全球成本结构 (2025.04.14)
服务横跨多重电子应用领域之全球半导体领导厂商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)今日进一步公布其全球制造据点调整计画的内容。这项行动是 2024 年 10 月所宣布转型计画的一部分
意法半导体 65W 氮化??转换器 提供节省空间的高效电源解决方案,适用於成本考量之应用 (2025.04.09)
服务横跨多重电子应用领域之全球半导体领导厂商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)新推出之 VIPerGaN65D 反驰式转换器采用 SOIC16 封装,能提供极为小巧且具成本效益的电源供应、适配器以及支援 USB-PD(电力传输)快充功能的电源,最高可达 65W,并支援通用输入电压
电动车充电革新与电源管理技术 (2025.04.08)
电动车充电需求的不断提升,而电源管理晶片在整个系统中承担着能量转换、监控保护以及智能调度等多重功能,是保证充电安全、高效与智能化的关键组件。
解析USB4测试挑战 (2025.04.08)
从8K影音串流到工业物联网,从电动车智能座舱到边缘运算节点,这场由USB4介面所驱动的技术革命,正在重塑人类与数位世界的互动方式。
马自达与ROHM联合开发采用次世代半导体的车载元件 (2025.03.31)
Mazda Motor Corporation(以下简称 马自达)与ROHM Co., Ltd.(以下简称 ROHM)开始联合开发采用次世代半导体技术氮化??(GaN)功率半导体的车载元件。 马自达与ROHM自2022年起,在「电驱动单元的开发与生产合作体系」中,一直在推进搭载碳化矽(SiC)功率半导体的逆变器联合开发
意法半导体 250W MasterGaN 叁考设计加速高效与小型化工业电源供应器设计 (2025.03.19)
为加速设计具卓越效率与高功率密度的氮化??(GaN)电源供应器(PSUs),服务横跨多重电子应用领域之全球半导体领导厂商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出了搭载 MasterGaN1L 系统封装(SiP) 的 EVL250WMG1L 共振转换器叁考设计
报告:2030年全球车用半导体年复合成长率达7.5% (2025.03.17)
根据Persistence的研究资料,受惠於电动车、先进驾驶辅助系统(ADAS)及车联网技术,全球车用半导体产业迎来快速的发展。预计至2030年将以7.5%年复合成长率持续扩张,。 推动市场成长的关键因素多元且相互关联:车辆电气化已成为全球汽车产业的发展趋势
VLSI TSA研讨会4月将登场 聚焦高效能运算、矽光子、量子计算 (2025.03.13)
随着全球半导体技术持续推进,AI、量子计算、高效能运算(HPC)等技术发展正驱动产业革新,今年由工研院主办第42年的「国际超大型积体电路技术、系统暨应用研讨会」(VLSI TSA),即将於4月21~24日於新竹国宾饭店登场
ROHM的EcoGaN被村田制作所集团旗下Murata Power Solutions的AI伺服器电源所采用 (2025.02.27)
半导体制造商ROHM(总公司:日本京都市)的650V耐压、TOLL封装的EcoGaN™产品GaN HEMT,被日本先进电子元件、电池和电源制造商村田制作所集团旗下Murata Power Solutions的AI(人工智慧)伺服器电源所采用
ROHM 650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装 (2025.02.13)
半导体制造商ROHM(总公司:日本京都市)已将TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT*1「GNP2070TD-Z」投入量产。TOLL封装不仅体积小,散热性能出色,还具有优异的电流容量和开关特性,因此在工业设备、车载设备以及需要支援大功率的应用领域被陆续采用
电动车、5G、新能源:宽能隙元件大显身手 (2025.02.10)
随着运算需求不断地提高,新兴能源也同步崛起,传统矽基半导体材料逐渐逼近其物理极限,而宽能隙半导体材料以其优越的性能,渐渐走入主流的电子系统设计之中。
高功率元件的创新封装与热管理技术 (2025.02.10)
随着高密度封装和热管理技术的进步,我们将看到更高效、更可靠的高功率元件应用於各不同产业,推动技术的持续演进。在这个挑战与机遇并存的时代,持续的研发投入与技术创新将成为决胜关键
高功率元件加速驱动电气化未来:产业趋势与挑战 (2025.02.10)
高功率元件将成为实现全球电气化未来的重要推动力。 产业需共同应对供应链挑战、降低成本并提升技术创新速度。 最终助力实现更高效、更环保的全球能源管理体系
工研院与台达开发SiC模组 抢攻高功率电子市场 (2025.02.08)
基於现今电动车为了符合低碳永续趋势及续航力,兼顾在高压、高温下稳定运行,使得具备高功率密度的宽能隙化合物半导体(Wide-bandgap Semiconductor;WBG),成为该领域深受关注的元件材料


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5 Bourns IsoMOV 混合保护器荣获 IEC 61051-2 符合性认证, 并列入 UL 1449 认证名单
6 ROHM推出支援负电压和高电压的高精度电流检测放大器
7 Microchip推出MEC175xB系列,为嵌入式控制器引入硬体量子抗性
8 意法半导体推出工业级加速计 其整合了边缘 AI 与超低功耗技术,适用於免维护智慧感测应用
9 ST 推出内建唯一识别码的新款序列式 EEPROM 对应产品辨识、追踪与永续设计需求
10 适用于高频功率应用的 IXD2012NTR 高压侧和低压侧栅极驱动器

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