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FRAM内存技术原理
 

【作者: 徐夢嵐】2001年10月05日 星期五

浏览人次:【11685】

美国Ramtron公司内存(FRAM)的核心技术是铁晶体管材料。这一特殊材料使得内存产品同时拥有随机存取内存(RAM) 和非挥发性贮存产品的特性。


内存材料的工作原理是:当我们把电极加到铁晶体管材料上,晶体中的中心原子会沿着电场方向运动,到达稳定状态。晶体中的每个自由浮动的中心原子只有两个稳定状态。一个我们拿来记忆逻辑中的0,另一个记忆1。中心原子能在常温,没有电场的情形下停留在此状态达一百年以上。内存不需要定时刷新,能在断电情况下保存数据。(图一)


由于在整个物理过程中没有任何原子碰撞,FRAM拥有高速读写,超低功耗和无限次写入等超级特性。
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