隨著運算需求不斷地提高，新興能源也同步崛起，傳統矽基半導體材料逐漸逼近其物理極限，而寬能隙半導體材料以其優越的性能，漸漸走入主流的電子系統設計之中。它以更高的擊穿電壓、更快的開關速度、更高的工作溫度，讓寬能隙半導體材料在 電動車、5G 通訊、再生能源等領域，展現出巨大的應用潛力，也為半導體產業帶來了一場全新的技術變革。

什麼是寬能矽材料?

寬能隙材料是指禁帶寬度 (band gap) 比傳統半導體材料 (如矽) 更寬的半導體材料。禁帶寬度是指將電子從價帶激發到導帶所需的能量，而寬能隙材料的禁帶寬度通常大於 2 電子伏特 (eV)，而矽的禁帶寬度約為 1.1 eV。
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