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找尋夢幻記憶體
 

【作者: 廖專崇】   2003年11月05日 星期三

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高科技產業之所以興盛,相當重要的原因之一便是數位技術所具有的記憶與拷貝功能,我們在將複雜的類比訊號轉換為簡單的數位訊號時,由於只有「0」與「1」的訊息,因此在記憶資料的時候,只要把具有正負兩種特性的物質加以利用就可以了,最明顯的就是利用磁性物質的磁場而做成記憶裝置的硬碟。


目前數位儲存技術主要分成三種:磁式、光電式與半導體式,本文主要探討的是半導體式的儲存技術,不過半導體儲存技術基本上又分為揮發性(Volatile)與非揮發性(Non-volatile)兩種,揮發性記憶體技術較為成熟,也是目前半導體記憶技術的主流,包括DRAM(動態隨機存取記憶體)、SRAM(靜態隨機存取記憶體)等都是;而非揮發性記憶體技術包括過去的Mask ROM(光罩式唯讀記憶體)、EPROM(可抹式唯讀記憶體)、EEPROM(電子式可抹寫唯讀記憶體)與新興的Flash(快閃記憶體)、FRAM(鐵電記憶體)、MRAM(磁性記憶體)與OUM(相變化記憶體)等。


所謂揮發與非揮發的差別在於揮發性記憶體在電性消失後,儲存於其上的資料便消失不見,但是非揮發性記憶體在電性消失後,仍然能夠將資料保存下來,近年來由於可攜式電子產品的發展,磁式和光電式的儲存設備並無法滿足輕、薄、短、小的要求,所以半導體記憶技術尤其是非揮發性記憶技術的成長相當迅速,最近市場上NAND Flash記憶體更傳出缺貨的消息。
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