開關式升壓器晶片已被廣泛的應用。利用電感器提升電壓的基本原理早在幾十年前已有人論及。部分升壓器採用電路的開關控制部分，部分升壓器內建開關（一般採用MOSFET），這兩類升壓器都大受歡迎。將MOSFET開關與開關控制區段裝設在同一晶粒上有其優點及缺點。優點是大幅精簡系統設計，缺點是效能無法與採用外置開關的設計相比，兩者在效能上的差距太大。

採用外置MOSFET的直流/直流開關電源供應器有多個優點，例如作業頻率不但可以大幅提高，效率也有所提昇。有部分廠商最近推出內含MOSFET的直流/直流升壓器晶片，一反傳統的做法。雖然根據基本的原理，MOSFET若設於晶片之外，系統可發揮更高的效能，在積體電路的設計及製程技術經過不斷的推陳出新，目前內含MOSFET的升壓器已能高於1MHz的頻率進行作業。

新興直流升壓器設計
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