高壓 IGBT 的性能已得到極大改進。 當今最流行的 IGBT 技術為場截止 IGBT（Field Stop IGBT），該技術結合貫穿型（PT）及非貫穿型（NPT）IGBT 結構的優點，同時克服每種結構的缺點。 FS IGBT 在導通期間具有更低的飽和電壓降 VCE(sat)，且在關斷瞬間具有更低的開關損失。 然而，與所有其它類型的 IGBT 一樣，由於沒有內嵌體二極體，它在大多數開關應用中通常與額外的快速恢復二極體 (FRD) 一起封裝。

本文將介紹快捷半導體之第二代 1400V 場截止陽極短路溝槽式（Field Stop-Shorted Anode Trench）IGBT ，與一般 IGBT 不同，它具有內嵌體二極體，且其在單端（Single Ended）諧振逆變器中的有效性適用於感應加熱（Induction Heating） 應用。

場截止陽極短路溝槽式 IGBT
...
...