美光科技近日开始出货采用1γ（1-gamma）制程节点的低功耗双倍资料速率（LPDDR5X）记忆体认证样品。1γ制程之所以能实现这些突破，关键在於美光采用了多项先进的半导体制造技术。这是美光首款应用极紫外光（EUV）微影技术的行动记忆体解决方案。EUV技术能够在晶圆上刻画出更精细的电路图案，从而提高位元密度并降低功耗。

此外，1γ制程还采用了次世代高介电金属闸极（HKMG）技术，这项技术能有效提高电晶体的性能与能效。HKMG透过使用具有高介电常数的材料作为电晶体的绝缘层，大幅减少了漏电流问题，这正是1γ制程能够在提升性能的同时降低功耗的关键因素之一。

1γ制程LPDDR5X记忆体的问世，直接解决了当前行动装置面临的几个关键挑战。随着AI应用日益普及，传统记忆体在处理大型语言模型和生成式AI工作负载时常面临频宽不足的问题，导致回应迟缓。1γ制程的高频宽设计有效缓解了这一瓶颈。

同时，行动装置的轻薄化趋势对记忆体封装提出了严格要求。1γ制程的超薄封装使手机厂商能够在有限的空间内塞入更多元件或增大电池容量，而不必牺牲性能。

值得注意的是，美光的这项技术突破不仅限於智慧型手机领域。随着边缘AI计算的兴起，资料中心伺服器、AI PC乃至智慧车辆都可能受益於LPDDR5X在功耗与性能间的优异平衡。