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ASM雙腔體碳化矽磊晶平台 滿足先進碳化矽功率元件領域需求
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2024年10月07日 星期一
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ASM 發布了全新PE2O8碳化矽磊晶系統。這款雙腔體碳化矽（SiC）磊晶 （Epi）平台旨在滿足先進碳化矽功率元件領域的需求，具備低缺陷率、高製程穩定性，成為業界標竿。PE2O8具備更高的產量和較低的擁有成本，促進了碳化矽元件的更廣泛應用。
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關鍵字： SiC  GaN  寬能隙半導體  化合物半導體  ASM 
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