美光科技今日宣布，其12層堆疊36GB HBM4記憶體已送樣給多家主要客戶。其 1β（1-beta）DRAM 製程、經驗證的12層的記憶體內建自我測試（MBIST）功能，是專為開發下一代AI平台所設計。

美光 HBM4 記憶體具有 2048 位元介面，每個記憶體堆疊的傳輸速率超過 2.0 TB/s，效能較前一代產品提升逾 60%1。這種擴展的介面有助於實現高速通訊和高吞吐量設計，進而提高大型語言模型和思路鏈推理系統的推論效能。簡而言之，HBM4 將使 AI 加速器具備更快的反應速度與更高效的推理能力。

此外，延續美光前一代 HBM3E 記憶體2在業界樹立的 HBM 能源效率新標竿，HBM4 的能源效率再提升逾兩成，展現了更進一步的技術突破。這項進展能以最低功耗提供最大吞吐量，進而最大限度地提高資料中心的效率2。