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瑞萨电子新高压电源MOSFET 可减少52%导通损失
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍报导】   2011年02月01日 星期二

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瑞萨电子近日宣布,推出能为电源供应器提供超高效率的高压N-channel电源金属氧化半导体场效晶体管(MOSFET)产品--RJK60S5DPK。新的电源MOSFET能减少PC服务器、通讯基地台以及太阳能发电系统的耗电量。

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新推出的RJK60S5DPK电源MOSFET,适用于电源供应器的主要电源交换电路,用以将交流电(AC)转换成直流电(DC)。RJK60S5DPK为瑞萨电子高压电源MOSFET系列的第一款产品,采用高精密超结合技术结构,达到电源MOSFET设备主要整体效能指数的优值(FOM)标准,与瑞萨电子现有产品相较下,效能约可提升90%。

新的RJK60S5DPK电源MOSFET可达到150毫欧的导通电阻(mΩ,ID标准值=10A,VGSS=10V),较瑞萨电子现有的电源MOSFET产品低52%,如此可减少电源转换时的损失。此新电源MOSFET具备仅6nC(nanocoulomb,ID标准值=10 A,VGSS=10)的驱动电容(闸极电荷Qgd),可影响交换速度,相较于瑞萨电子现有产品可节省80%的转换电荷,因此能透过高速交换提高电源转换效率。

新的RJK60S5DPK电源MOSFET封装大小与TO-3P标准封装相同,且pin脚的配置符合产业标准,因此可轻易安装于使用传统平面MOSFET设备评估的交换电源供应电路板。

瑞萨电子认为平面电视、通讯基地台以及PC服务器都将因低耗电量交换电源供应器产品而受益。该公司计划利用新RJK60S5DPK电源MOSFET的先进技术,扩大高压电源设备的事业规模,并针对各特定用途开发各种新产品。

關鍵字: MOSFET  瑞薩電子 
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