半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出全新SPICE模型「ROHM Level 3 (L3)」，大幅提升了收斂性和模擬速度。

使用者可從第4代SiC MOSFET產品頁面的「設計模型」中進行下載

功率半導體的損耗對系統整體效率有重大影響，因此在設計階段的模擬驗證中，模型的精度至關重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型「ROHM Level 1 (L1)」，透過提高每種特性的再現性，滿足了高精度模擬的需求。然而，該模型也存在著模擬收斂性和運算時間較長等有待改進的課題。

新模型「ROHM Level 3 (L3)」透過簡化模型公式，能夠在保持計算穩定性和開關波形精度的同時，將模擬時間縮短為以往L1模型的約50%。故能夠高精度且快速地執行電路整體的瞬態分析，有助提升應用設計階段的元件評估與損耗確認的效率。

「ROHM Level 3 (L3)」的第4代SiC MOSFET模型（共37款機型）已經於2025年4月在官網上公布，使用者可透過產品頁面等進行下載。新模型L3推出後，以往模型仍將繼續提供。另外ROHM亦公布了詳細的使用白皮書，幫助使用者順利導入新模型。