旭化成株式会社於2025年5月开发出全新感光干膜「SUNFORT TA系列」可应用於AI伺服器等先进半导体封装制造工艺。TA系列旨在应对快速增长的下一代半导体封装市场需求，该系列产品不仅适用於传统的Stepper曝光设备，还可对应LDI（镭射直写）曝光设备，在两种曝光方式下均能实现极高的图案解析度，有助於在封装工艺中提升基板微细线路图案的成型性能。

面向AI伺服器的重新布线层实现进一步微细化，采用LDI曝光实现1.0μm宽度图形

用於AI伺服器等先进半导体封装的仲介层及封装基板，除了须具备大面积、高多层的结构特性，对高密度微细线路的形成技术也有高要求。作为形成这些微细线路的再配线层（RDL），长期以来由於解析度的限制，液态光刻胶一直为主流材料。然而相较於液态光刻胶，感光干膜在适配面板尺寸、易操作性、可同时对基板正反面进行处理等方面具有显着优势。尽管如此，由於解析度不足，感光干膜一直未能应用於RDL的形成工艺中。

TA系列产品是基於感光性材料技术和全新的材料设计开发而成，在RDL形成所需的4μm节距设计条件下，可通过LDI曝光实现形成1.0μm线宽的图案，适用於面板级封装等微细配线形成的感光干膜材料。所形成的微细光刻图案，经过SAP（加成法）电镀图案形成工艺以及後续光刻胶剥离步骤後，可在4μm节距设计条件下实现形成3μm线宽的电镀图案。此外，微细线路形成工艺趋向多样化，TA系列可对应传统的Stepper曝光方式，提供新的选择。