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Diodes推出碳化矽蕭特基勢壘二極體 提高效率和高溫可靠性
 

【CTIMES/SmartAuto 劉昕報導】   2023年02月08日 星期三

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Diodes公司今日宣佈推出首款碳化矽(SiC)蕭特基勢壘二極體(SBD)。產品組合包含DIODES DSCxxA065系列,共有十一項650V額定電壓(4A、6A、8A和10A)的產品,以及DIODES DSCxx120系列,共有八款1200V額定電壓(2A、5A和10A)產品。

Diodes推出碳化矽蕭特基勢壘二極體 提高效率和高溫可靠性
Diodes推出碳化矽蕭特基勢壘二極體 提高效率和高溫可靠性

這些寬帶隙SBD的優點包括可大幅提高效率和高溫可靠性,同時回應市場對降低系統執行成本並減少維護需求。這些裝置適用於AC-DC、DC-DC和DC-AC降壓變換器、光伏逆變器、不斷電系統和工業馬達驅動產品應用。此外,本系列裝置也適用於其他各種電路,例如功率因數校正用途的升壓轉換器。

這些SiC裝置擁有高效率效能,表現優於傳統矽晶型產品,能為電源供應器設計人員帶來空前產品效能優勢,例如:

低電容電荷(QC)可將切換損耗降至極低,進而提升高速切換產品應用的效率。適合用於功率密度具有較高、解決方案總尺寸較小的電路設計。

低順向電壓(VF)可進一步提高效率、降低功率損耗和營運成本。

減少散熱,有助於降低整個系統的散熱預算。

高突波電流能力可提升穩固性,實現較佳系統可靠性,而出色的熱效能還可降低建構成本。

本系列裝置提供三種封裝選項,包括表面黏著TO252-2(WX型)、通孔TO220AC(WX型)和ITO220AC(WX-NC型)。

關鍵字: Diodes 
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