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高通为新一代穿戴式连网装置推出Snapdragon W5+和W5平台 (2022.07.20)
高通技术公司今日发表旗下顶级穿戴式装置平台系列最新产品Snapdragon W5+Gen 1和Snapdragon W5 Gen 1。两个全新平台专为新一代穿戴式连网装置设计,具备超低功耗和前所未有的效能,同时着重带来持久的电池续航力、顶级的使用者体验和时尚创新的设计
高通推出穿戴式装置生态系加速器计画 扩展穿戴式市场 (2021.07.21)
高通技术公司今日提出穿戴式装置领域的整体愿景,并重点介绍了多个 Snapdragon Wear 平台的重要里程碑,并宣布推出全新高通穿戴式装置生态系加速器计画(Qualcomm Wearables Ecosystem Accelerator Program);同时宣布Arm、步步高、Fossil、OPPO、威讯(Verizon) 和沃达丰(Vodafone) 等 60 多家穿戴式装置产业领导企业将参与计画
言论不当 英特尔发表声明向ARM与苹果致歉 (2008.10.27)
外电消息报导,日前两位英特尔主管对苹果和ARM所发表的负面言论,英特尔紧急在网站上发表声明,指出自家的Atom处理器在部分性能上,仍未能与ARM架构的芯片媲美,而苹果的iPhone是款划时代的产品
飞思卡尔为MID提供电源管理IC解决方案 (2008.01.10)
为了因应次世代行动式因特网装置(Mobile Internet Devices,MIDs)所带来的挑战,飞思卡尔半导体正着手于研制一款高效能的音效与电源管理解决方案,以便配合Intel的MID。该款高度整合的芯片组,其设计不但能有效地管理电源功率,也有助于缩小产品尺寸,并延长电池寿命


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2 英飞凌 CoolMOS 8 超接面 MOSFET 为光宝科技资料中心应用树立最隹化的系统效能新标竿
3 TLSM系列轻触开关为高使用率设备提供200万次??圈寿命
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5 贸泽即日起供货适用於5G、mMIMO应用的 全新Qorvo QPA9822线性5G高增益/高驱动放大器
6 英飞凌XENSIV第四代磁感测器支援达ASIL B级要求的汽车功能安全应用
7 ROHM推出适用於AI伺服器48V电源热??拔电路的100V功率MOSFET
8 贸泽电子最新EIT系列 探索永续技术与工程创新交汇点
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10 映泰EdgeComp MS-N97 边缘运算系统符合智慧零售应用

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