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經濟部與顯示業瞄準先進封裝需求 首創面板級全濕式解決方案 (2025.04.16)
經濟部產業技術司於2025 Touch Taiwan籌組創新技術館，攜手友達、群創、達運、聯策、誠霸、永光等多家企業，展出「面板級封裝」、「車載顯示與智慧應用」、「先進顯示材料」、「低碳顯示與綠色製造」等4大領域，共27項研發成果 |
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imec採用High-NA EUV單次圖形化 展示20奈米金屬導線電性良率 (2025.03.04)
日前舉行的國際光電工程學會（SPIE）先進微影成形技術會議（Advanced Lithography and Patterning Conference）上，比利時微電子研究中心（imec）展示首次在20奈米間距金屬導線結構上取得的電性測試（electrical test）結果，這些結構經過高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）的單次曝光之後完成圖形化 |
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電動車、5G、新能源：寬能隙元件大顯身手 (2025.02.10)
隨著運算需求不斷地提高，新興能源也同步崛起，傳統矽基半導體材料逐漸逼近其物理極限，而寬能隙半導體材料以其優越的性能，漸漸走入主流的電子系統設計之中。 |
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原子層沉積技術有助推動半導體製程微縮 (2025.02.08)
隨著半導體製程技術的持續進步，晶片微縮已達到物理極限，傳統的光刻技術面臨挑戰。在此背景下，原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD）技術因其薄膜沉積精度，成為推動半導體微縮的關鍵技術之一 |
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半鑲嵌金屬化：後段製程的轉折點？ (2025.01.03)
五年多前，比利時微電子研究中心（imec）提出了半鑲嵌（semi-damascene）這個全新的模組方法，以應對先進技術節點銅雙鑲嵌製程所面臨的RC延遲增加問題。 |
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半導體生產技術加速演進 高純度氣體供應為成功基礎 (2024.12.18)
在現代半導體製造過程中，氮氣與氧氣扮演著不可或缺的角色。這些氣體不僅是半導體製造環境中重要的組成部分，更是確保製程穩定性與產品良率的關鍵。氮氣因其化學性質穩定，被廣泛用於提供無氧環境以避免氧化反應，並在製造過程中用於清潔與乾燥晶圓 |
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奈米科技助陣 微晶片快篩時代即將來臨 (2024.12.17)
全球面臨各種健康威脅，快速、可靠的居家診斷測試需求日益迫切。紐約大學坦登工程學院研發出突破性微晶片技術，可望實現多疾病同步檢測、數據即時傳輸，將居家診斷推向新紀元 |
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GenAI時代需求高速資料處理效能 3D NAND技術將無可取代 (2024.12.16)
隨著生成式人工智慧（Generative AI, GenAI）與邊緣運算的快速發展，全球對高效能、高容量儲存技術的需求急速攀升。雖然GPU與DRAM常被視為推動AI發展的核心，3D NAND技術憑藉其優異的儲存密度、可靠性與能源效率，成為支撐AI應用的關鍵基石，默默扮演著「隱形推手」的角色 |
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杜邦擴增日本新潟廠的光阻製造產能 (2024.10.07)
經由新型先進廠房的啟用，以期滿足全球客戶今後對先進光阻產品的需求。杜邦公司正式宣布完成位於日本新潟縣阿賀野市新潟廠的一項重大產能擴建。該公司舉行日本傳統的玉串奉奠儀式(Tamagushi Houten Ceremony)，象徵著持續成功、繁榮與和平的祝福 |
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進入High-NA EUV微影時代 (2024.09.19)
比利時微電子研究中心（imec）運算技術及系統／運算系統微縮研究計畫的資深副總裁（SVP）Steven Scheer探討imec與艾司摩爾（ASML）合建的High-NA EUV微影實驗室對半導體業的重要性 |
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imec執行長：全球合作是半導體成功的關鍵 (2024.09.03)
imec今日於SEMICON Taiwan 2024前夕舉辦ITF Taiwan 2024技術論壇，以「40年半導體創新經驗與AI的大躍進」為主題，歡慶imec成立40週年，並展示其在推動半導體產業發展的關鍵成就與行動 |
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跨過半導體極限高牆 奈米片推動摩爾定律發展 (2024.08.21)
奈米片技術在推動摩爾定律的進一步發展中扮演著關鍵角色。
儘管面臨圖案化與蝕刻、熱處理、材料選擇和短通道效應等挑戰，
然而，透過先進的技術和創新，這些挑戰正在逐步被克服 |
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imec採用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構 (2024.08.11)
比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發表了曝光後的圖形化元件結構 |
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科林研發推出Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術 加速3D NAND在AI時代的微縮 (2024.08.06)
Lam Research 科林研發推出 Lam Cryo 3.0，這是該公司經過生產驗證的第三代低溫介電層蝕刻技術，擴大了在 3D NAND 快閃記憶體蝕刻領域的領先地位。隨著生成式人工智慧（AI）的普及不斷推動更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Cryo 3.0 為未來先進 3D NAND 的製造提供了至關重要的蝕刻能力 |
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Lam Research以Lam Cryo 3.0 低溫蝕刻技術加速實現3D NAND目標 (2024.08.06)
隨著生成式人工智慧（AI）普及推升更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Research科林研發推出第三代低溫介電層蝕刻技術Lam Cryo 3.0，已經過生產驗證，擴大在3D NAND快閃記憶體蝕刻領域的地位 |
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ASML與imec成立High-NA EUV微影實驗室 (2024.06.05)
比利時微電子研究中心（imec）與艾司摩爾（ASML）共同宣布，雙方於荷蘭費爾德霍溫合作開設的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室正式啟用，為尖端的邏輯、記憶體晶片商以及先進的材料、設備商提供第一部高數值孔徑（high-NA）極紫外光（EUV）曝光機原型TWINSCAN EXE:5000以及相關的製程和量測工具 |
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應材Sculpta圖案化解決方案 拓展埃米時代晶片製造能力 (2024.02.29)
隨著台灣晶圓代工大廠持續向外擴充版圖，並將製程推進至2nm以下，正加速驅動晶片製造廠商進入埃米時代，也越來越受惠於新材料工程和量測技術。美商應用材料公司則透過開發出越來越多採用Sculpta圖案成形應用技術，與創新的CVD圖案化薄膜、蝕刻系統和量測解決方案 |
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Toppan Photomask與IBM簽署EUV光罩研發協議 推進2奈米技術 (2024.02.14)
半導體光罩供應商Toppan Photomask宣布，已與IBM就使用極紫外(EUV)光刻技術的2奈米(nm)節點邏輯半導體光罩的聯合研發達成協議。該協議尚包含開發用於下一世代半導體的高NA EUV光罩 |
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矽光子發展關鍵：突破封裝與材料障礙 (2023.08.21)
最終的光電融合是3D共封裝光學，即三維整合。可以毫不誇張地說，基於矽光子的光電子融合，將會是未來計算機系統和資訊網路的關鍵技術。 |
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imec觀點：微影圖形化技術的創新與挑戰 (2023.05.15)
此篇訪談中，比利時微電子研究中心（imec）先進圖形化製程與材料研究計畫的高級研發SVP Steven Scheer以近期及長期發展的觀點，聚焦圖形化技術所面臨的研發挑戰與創新。 |
