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CTIMES / 氮化鎵技術
科技
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电源管理的好帮手——ACPI

ACPI规格让操作系统、中央处理单元与接口设备三方面整合起来,互相交换电源使用讯息,更加简便而有效益地共同管理电源。
CGD ICeGaN产品技术经维吉尼亚理工大学研究获验证 (2023.04.10)
无晶圆厂无尘技术半导体公司Cambridge GaN Devices(CGD)使用氮化?? (GaN)开发出多款高能效功率装置,协助打造出更为环保的电子产品;CGD 宣布由学术研究机构维吉尼亚理工大学进行的独立第三方研究表现,CGD 的 ICeGaN氮化??技术较其他氮化??平台更具可靠性及坚固性
英飞凌新一代 CoolMOS降低50%切换损耗 为系统奠定耐用性新标准 (2015.05.26)
(德国慕尼黑讯)英飞凌科技(Infineon)推出全新 CoolMOS C7 超接面(SJ)MOSFET系列。 相较于 CoolMOS CP 600 V 系列能减少 50% 的关闭损耗,在 PFC、TTF 和其他硬切换拓朴中发挥媲美氮化镓级的性能

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