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Microchip 完成符合 MIL-PRF-19500/746 規範的抗輻射強化型功率 MOSFET 系列，並取得 JANSF 300 Krad 認證 (2025.04.22)
JANS 認證代表分離式半導體產品在航太、國防與太空飛行應用中所需的最高篩選與驗收等級，確保卓越的效能、品質與可靠性。Microchip Technology今日宣布，其抗輻射強化型功率 MOSFET 系列已完整符合 MIL-PRF-19500/746 的子規範要求，並且其 JANSF2N8587U3 100V N 通道 MOSFET 通過 300 Krad (Si) 總電離劑量的 JANSF 認證 |
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意法半導體 65W 氮化鎵轉換器 提供節省空間的高效電源解決方案，適用於成本考量之應用 (2025.04.09)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）新推出之 VIPerGaN65D 反馳式轉換器採用 SOIC16 封裝，能提供極為小巧且具成本效益的電源供應、適配器以及支援 USB-PD（電力傳輸）快充功能的電源，最高可達 65W，並支援通用輸入電壓 |
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ROHM推出適用高性能AI伺服器電源的全新MOSFET (2025.03.18)
半導體製造商ROHM針對企業級高性能伺服器和AI伺服器電源，推出實現業界頂級導通電阻和超寬SOA範圍的Nch功率MOSFET。
新產品共計3款機型，包括非常適用於企業級高性能伺服器12V系統電源的AC-DC轉換電路二次側和熱插拔控制器（HSC）電路的「RS7E200BG（30V）」 |
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貿澤電子、安森美和Wurth Elektronik合作為下一代太陽能和儲能系統提供解決方案 (2024.12.09)
2024年12月9日 – 全球最新電子元件和工業自動化產品的授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 與安森美和Wurth Elektronik合作，一同滿足太陽能逆變器市場持續成長的需求。
全球逆變器市場的成長動力來源，主要來自微型逆變器和串式逆變器在安裝上的便利性，以及對再生能源基礎架構投資的增加 |
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Littelfuse超級結X4-Class 200V功率MOSFET具有低通態電阻 (2024.11.26)
工業技術製造公司Littelfuse推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超級結X4-Class功率MOSFET。這些新元件在目前200V X4-Class超級接面MOSFET的基礎上進行擴展，有些具有最低導通電阻。由於這些MOSFET具有高電流額定值，設計人員能夠採用它們來取代多個並聯的低額定電流元件，進而簡化設計流程，提高應用的可靠性和功率密度 |
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意法半導體三相馬達驅動器整合評估板加速強化性能 (2024.11.11)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）推出三相馬達驅動器PWD5T60，搭配支援靈活控制策略的即用型評估板，可加速採用節能馬達之小尺寸以及可靠的風扇和幫浦開發速度。PWD5T60的運作電壓達500V，整合一個閘極驅動器和六個RDS(ON) 1.38?的功率MOSFET，使該元件能夠達到出色的額定能量面積比例 |
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貿澤電子推新品：2024年Q3新增近7,000項元件 (2024.10.29)
貿澤電子（Mouser Electronics）協助客戶加快產品上市速度。貿澤受到超過1,200個半導體及電子元件製造商品牌的信賴，幫助他們將新產品賣到全世界。貿澤為客戶提供100%通過認證的原廠產品，而且還能追蹤這些產品自離開製造商工廠以後的完整路線 |
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瑞薩與英特爾合作為新款Intel Core Ultra 200V系列處理器提供最佳化電源管理 (2024.10.24)
瑞薩電子（Renesas Electronics）宣布與英特爾合作推出新的電源管理解決方案，為採用Intel Core Ultra 200V系列處理器的筆記型電腦提供最佳化電池效率。
新款客製化電源管理IC（PMIC）可滿足最新一代英特爾處理器的所有電源管理需求 |
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意法半導體為電動車牽引變頻器打造新一代碳化矽功率技術 (2024.10.08)
全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics；ST）正式推出第四代STPOWER碳化矽（SiC）MOSFET技術。這項新技術不僅滿足車用及工業市場的需求，還針對電動車（EV）動力系統中的關鍵元件—牽引變頻器進行專門優化，在功率效率、功率密度及穩定性上樹立全新的標竿 |
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Diodes新款高額定電流負載開關為數位 IC智慧供電 (2024.06.06)
Diodes 公司擴展DML30xx 智慧負載開關系列推出四款新產品：DML3008LFDS、DML3010ALFDS、DML3011ALFDS 與 DML3012LDC，可針對 0.5V 至 20V 的電源軌達成高電流 (10.5A 至 15A)電源域開關控制。透過這些元件的嵌入式功能，可以高效處理有關微控制器、顯示卡、ASIC、FPGA 與記憶體晶片供電的多樣需求 |
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2024.5(第390期)PCIe 6.0—高速數位傳輸 (2024.05.07)
AI對運算速度和數據處理有極高要求，
PCIe在AI伺服器或AI PC將扮演關鍵。
PCIe 7.0優勢是更高的傳輸性能，
以及更佳的能源效率。
透過高速訊號測試設備，
能提供PCIe完整測試驗證 |
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P通道功率MOSFET及其應用 (2024.04.17)
本文透過對N通道和P通道MOSFET進行比較，並介紹說明Littelfuse P通道功率MOSFET，以及探究其目標應用。 |
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英飛凌針對汽車應用推出最低導通電阻 80 V MOSFET OptiMOS 7 (2024.04.16)
英飛凌科技（Infineon）推出最新先進功率 MOSFET 技術— OptiMOS 7 80 V的首款產品IAUCN08S7N013。該產品的特點包括功率密度顯著提高，和採用通用且穩健的高電流SSO8 5 x 6 mm2SMD封裝 |
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Littelfuse超低功耗負載開關IC系列可支援延長電池壽命 (2023.12.28)
Littelfuse公司最新發佈保護積體電路（IC）產品系列中的五款多功能負載開關元件。這些新型負載開關IC是額定電流為2和4A的超高效負載開關，整合真正反向電流阻斷(TRCB)和壓擺率控制功能 |
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Littelfuse新款光隔離光伏驅動器為隔離開關應用提供浮動電源 (2023.12.04)
Littelfuse公司推出新款光隔離光伏驅動器FDA117可產生浮動電源，適用於各行各業隔離開關應用。FDA117專為使用浮動電壓源控制分立式標準功率MOSFET和IGBT裝置設計，可確保低壓驅動輸入側和高壓負載輸出側之間的隔離 |
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博格華納採用ST碳化矽 為Volvo新電動車設計Viper功率模組 (2023.09.08)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）將與博格華納（BWA）合作，為其專有的Viper功率模組提供最新的第三代750V碳化矽（SiC）功率MOSFET晶片。該功率模組用於博格華納為Volvo現有和未來多款電動車型設計的電驅逆變器平台 |
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氮化鎵在採用圖騰柱 PFC 的電源設計中達到高效率 (2023.08.04)
世界各地的政府法規要求在交流/直流電源中使用 PFC 級，藉以促進從電網獲得潔淨電力。PFC 對交流輸入電流進行調整以遵循與交流輸入電壓相同的形狀... |
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STL120N10F8 N通道100V功率MOSFET 質量因數提升40% (2023.06.15)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）之新款STL120N10F8 N通道100V功率MOSFET擁有極低的閘極－漏極電荷（QGD）和導通電阻RDS（on），質量因數（Figure of Merit，FoM）相較上一代同類產品提升40% |
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英飛凌推出新雙通道電氣隔離EiceDRIVER閘極驅動器IC (2023.05.24)
如今，3.3 kW的開關式電源（SMPS）透過採用圖騰柱PFC級中的超接面（SJ矽）功率MOSFET和碳化矽（SiC）功率MOSFET，以及能夠滿足高壓DC-DC功率轉換要求的氮化鎵（GaN）功率開關等最新技術，使得功率密度可以達到100 W/inch3 |
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英飛凌針對汽車應用推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列 (2023.05.19)
英飛凌推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列，作為最新一代適合汽車應用的功率MOSFET，提供多種無引腳、強固的功率封裝。該系列產品採用了300毫米薄晶圓技術和創新的封裝，相比於其它採用微型封裝的元件，具有顯著的性能優勢 |
