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IR新款FastIRFET雙功率MOSFET採用4×5 PQFN功率模塊封裝 (2014.12.17)
國際整流器公司(International Rectifier;IR)推出採用高效能4×5 PQFN功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。此項新的封裝選擇使IR的功率模塊產品系列效能得以延伸至更低功率的設計
Linear雙組同步降壓控制器提供DDR電源方案 (2011.12.21)
凌力爾特(Linear)日前發表高效率、雙組輸出同步降壓DC/DC控制器LTC3876。此元件能針對DDR1/DDR2/DDR3及未來標準記憶體應用提供VDDQ供應電壓、VTT匯流排終端電壓及VTTR參考電壓
Linear發表雙組輸出同步降壓DC/DC控制器 (2011.12.19)
凌力爾特(Linear)近日發表,高效率、雙組輸出同步降壓DC/DC控制器LTC3876。此元件能針對DDR1/DDR2/DDR3及未來標準記憶體應用提供VDDQ供應電壓、VTT匯流排終端電壓及VTTR參考電壓
TI模組化DSC開發套件加速設計數位電源與控制 (2008.06.10)
德州儀器(TI)宣佈推出五套針對特定應用的開發套件,適用於TMS320F28x數位訊號控制器(DSC)。這個模組化套件可迅速建立各種設計的原型,包括DSC通訊基礎設備、可交換式處理器卡模組或控制卡的工業及商業應用、可存取裝置訊號的開發電路板實驗套件,以及針對特定應用的DC/DC與AC/DC數位電源開發套件
IR新型同步降壓轉換器晶片組 體積較SO-8封裝小40% (2005.08.08)
功率半導體及管理方案領導廠商-國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)推出一款新型的20V DirectFET MOSFET同步降壓轉換器晶片組。IR表示,這對IRF6610和IRF6636小型罐式DirectFET MOSFET,性能可媲美一對SO-8 MOSFET,但體積卻減少了40%,最適用於對尺寸、效率和熱性能有重大要求的高頻負載點(Point-of-load,簡稱POL)設計
TI發表多相位同步降壓轉換控制器 (2003.11.12)
德州儀器(TI)日前推出多顆多相位同步降壓轉換控制器,支援40 A至120 A輸出電流,為大電流電源供應設計人員提供良好的彈性及電路保護能力。這顆PWM單晶片控制器提供必要的控制和監測功能,適合支援低電壓、大電流的負載點電源供應設計


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9 ST 推出內建唯一識別碼的新款序列式 EEPROM 對應產品辨識、追蹤與永續設計需求
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