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筑波科技x美商泰瑞达分享交流化合物半导体材料与测试技术 (2024.04.18)
因应高效能运算和AI趋势对於创新材料的需求,筑波科技携手美商泰瑞达Teradyne於17日举办首场「化合物半导体材料与测试技术研讨会」,此次研讨会聚焦於各种测试挑战与解决方案,邀请产官学界菁英分享如氧化??、石墨烯等新兴材料应用,探究化合物半导体在矽光子的应用
安森美完成收购GT Advanced Technologies 强化碳化矽实力 (2021.11.02)
安森美(onsemi),于美国时间11月1日宣布,已完成对碳化矽(SiC)生产商GT Advanced Technologies(「GTAT」)的收购,确保和增加SiC供应的能力。 安森美的客户将受益于GTAT在晶体生长方面的丰富经验,及其在开发晶圆就绪的SiC方面令人叹服的技术能力和专业知识
Cree|Wolfspeed:SiC将在电动公共汽车市场高速成长 (2021.01.12)
碳化矽(SiC)技术正在渗入电动公共汽车市场。技术开发商Cree|Wolfspeed功率产品市场与应用高级总监Guy Moxey先生表示:「从全球的角度来看,纯电动汽车(BEV)预计在2025年将占汽车产量的7%
Cree与StarPower助客车厂商开发碳化矽电机控制器系统解决方案 (2020.06.10)
客车行业的宇通客车(宇通集团)於日前宣布,其新能源技术团队正在采用基於科锐(Cree, Inc.)1200V SiC器件的Stare半导体功率模块,开发更高效率,更快,更小,更轻,更强大的电机控制系统,各方共同推进SiC逆变器在新能源大巴领域的商业化应用
IR新款FastIRFET双功率MOSFET采用4×5 PQFN功率模块封装 (2014.12.17)
国际整流器公司(International Rectifier;IR)推出采用高效能4×5 PQFN功率模块封装的IRFH4257D FastIRFET 双功率MOSFET。此项新的封装选择使IR的功率模块产品系列效能得以延伸至更低功率的设计
IR iP2005A缩小40%封装且降低功率耗损和EMI (2008.03.05)
国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出iP2005A全面优化功率级解决方案,适用于为游戏、计算机运算和通讯应用而设的高电流同步降压多相位转换器。 这款iP2005A的体积较前一代的组件小百分之四十,但能够提供高达1.5MHz的效率作业,让设计人员可透过尽量减少输出电容器和电感器的数值,进一步减少占板面积


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