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DDR4現貨價格短短兩週飆漲100% 背後原因曝光 (2025.07.01) 根據資料顯示,DDR4記憶體現貨價格在6月中以來急速攀升,相較不到半個月時間價格翻了一倍。其中,主流8Gb及16Gb DDR4 3200MT/s模組現貨價從約?4–5美元,攀升至?8–10美元,甚至出現部分高達?150%的漲幅 |
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AI驅動記憶體革新 台積電與三星引領儲存技術搶攻兆元商機 (2025.06.29) 全球新興記憶體與儲存技術市場正快速擴張,而台積電、三星、美光、英特爾等半導體巨頭正與專業IP供應商合作,積極推動先進非揮發性記憶體解決方案的商業化。
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美光HBM4已送樣主要客戶 12層堆疊36GB記憶體助攻AI運算 (2025.06.12) 美光科技今日宣布,其12層堆疊36GB HBM4記憶體已送樣給多家主要客戶。其 1β(1-beta)DRAM 製程、經驗證的12層的記憶體內建自我測試(MBIST)功能,是專為開發下一代AI平台所設計 |
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HBM4加速AI創新發展 美光12層堆疊HBM4送樣多家客戶 (2025.06.12) 隨著生成式 AI 蓬勃發展,推動資料中心與雲端運算能力不斷向上突破,高頻寬記憶體(HBM)扮演的角色變得前所未有地關鍵。美光科技12層堆疊、容量36GB的HBM4記憶體已送樣給多家客戶,標誌著AI運算架構進入全新里程 |
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[Computex] 慧榮科技展示新一代 PCIe Gen5 SSD 控制晶片 (2025.05.23) 慧榮科技於 COMPUTEX 2025 展示兩款最新的 SSD 控制晶片。首款為 SM2504XT PCIe Gen5 DRAM-less SSD控制晶片,具備超低功耗;另一款為 SM2324 USB4可攜式SSD控制晶片,為真正支援 USB4 並內建電力傳輸 (Power Delivery, PD)的單晶片解決方案 |
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創新3D緩衝記憶體 助力AI與機器學習 (2025.05.06) imec的研究顯示,包含氧化銦鎵鋅(IGZO)傳導通道的3D整合式電荷耦合元件(CCD)記憶體是絕佳的潛力元件。 |
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SK海力士展示HBM4技術 預計2025下半年量產 (2025.04.28) 韓國SK海力士公開展示12層HBM4及16層HBM3E技術。此次展示的HBM4容量最高可達48 GB,頻寬為2.0 TB/s,I/O速度為8.0 Gbps,並預計於2025年下半年開始量產。
同時亮相的還有全球首款16層HBM3E,其頻寬達到1.2 TB/s |
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鈺創展示Edge AI微系統技術方案 COMPUTEX秀大廠合作項目 (2025.04.27) 鈺創科技(Etron)日前舉辦COMPUTEX 2025展前發布會,由董事長盧超群率領集團及子公司幹部,展示其在Edge AI領域的最新技術與解決方案。此次發布會聚焦於AI落地應用,涵蓋高速傳輸、3D視覺、隱私保護及記憶體解決方案,全面布局智慧生活 |
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SEMI:2025年全球晶圓廠設備投資破千億 晶背供電、2nm技術可望量產 (2025.03.27) SEMI國際半導體產業協會於今(27)日公布最新一季全球晶圓廠預測報告(World Fab Forecast)中指出,2025年全球用於前端設施的晶圓廠設備支出,將自2020年以來連續6年成長,較去年同比上升2%達1,100 億美元 |
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貿澤即日起供貨適用於AI和嵌入式應用的 全新Raspberry Pi Compute Module 5 (2025.03.21) 推動創新、領先業界的新產品導入 (NPI) 代理商™貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起供貨Raspberry Pi的全新Compute Module 5 (CM5)。Compute Module 5是一款強化型的系統模組 (SoM),可直接滿足工業需求,同時保持與其前代產品的機械相容性,還能改善AI、機器視覺、工業自動化、智慧家庭、健康醫療監控和其他嵌入式應用的功能 |
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imec採用High-NA EUV單次圖形化 展示20奈米金屬導線電性良率 (2025.03.04) 日前舉行的國際光電工程學會(SPIE)先進微影成形技術會議(Advanced Lithography and Patterning Conference)上,比利時微電子研究中心(imec)展示首次在20奈米間距金屬導線結構上取得的電性測試(electrical test)結果,這些結構經過高數值孔徑極紫外光(high-NA EUV)的單次曝光之後完成圖形化 |
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3D DRAM新突破!國研院聯手旺宏提升AI晶片效能 (2025.02.26) 國研院半導體中心與旺宏電子合作,成功開發「新型高密度、高頻寬3D動態隨機存取記憶體(3D DRAM)」,此技術突破傳統2D記憶體限制,採用3D堆疊技術,大幅提升記憶體密度與效能,且具備低功耗、高耐用度優勢,有助於提升AI晶片效能 |
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應用材料新一代電子束系統技術加速晶片缺陷檢測 (2025.02.25) 電子束成像一直是重要的檢測工具,可看到光學技術無法看到的微小缺陷。應用材料公司推出新的缺陷複檢系統,幫助半導體製造商持續突破晶片微縮的極限。應材的SEMVision H20系統將電子束(eBeam)技術結合先進的AI影像辨識,能夠提供更精準、快速分析先進晶片的奈米級缺陷 |
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科林研發新型導體蝕刻機台具備新穎電漿處理技術 (2025.02.25) Lam Research科林研發推出先進的導體蝕刻機台 Akara ─ 突破創新電漿蝕刻領域的效能。Akara 具備新穎的電漿處理技術,可實現 3D 晶片製造所需的卓越蝕刻精度和效能,助力晶片製造商克服面臨的關鍵微縮挑戰 |
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世邁科技:CXL介面加速推動伺服器AI運算效能革新 (2025.02.21) CXL介面憑藉其高效能、低延遲和靈活的資源管理能力,正在成為數據中心、伺服器和AI運算領域的關鍵技術。隨著CXL 3.0的推出,其應用場景將進一步擴展,並在未來的高性能計算和AI領域發揮更大的作用 |
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一粒沙,一個充滿希望的世界 (2025.02.21) 想像一個沒有手機、網路或行動通訊的世界。一片苦於飢荒的大陸。一種神秘又致命的病毒,不受控制地傳播。 |
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生成式AI為中國記憶體產業崛起帶來契機 可望在中低階市場站穩根基 (2025.01.17) 隨著生成式AI技術的快速發展,全球記憶體市場需求急劇上升,這波趨勢不僅刺激了全球供應鏈的加速轉型,也為中國記憶體產業帶來嶄新的發展契機。長鑫存儲(CXMT)等中國企業,正憑藉技術突破與市場拓展,努力縮短與全球領先企業的差距,為整個產業的競爭格局注入新的變數 |
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SEMI:2025年將啟動18座新晶圓廠建設 (2025.01.08) 根據國際半導體產業協會(SEMI)最新發布的「全球晶圓廠預測報告」,預計 2025 年全球半導體產業將啟動 18 座新晶圓廠建設項目,其中包括3座200mm晶圓廠和15座300mm晶圓廠,大部分預計將於 2026年至2027年投產 |
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CES 2025:群聯於推出PCIe Gen5全方位SSD儲存方案 (2025.01.08) 群聯電子(Phison)於2025年國際消費電子展(CES) 中展示最新儲存創新成果。本次展出焦點為全新PS5028-E28 PCIe Gen5 SSD控制晶片,採用台積電先進的6nm製程,實現14.5GB/s讀寫順序速度;同時,群聯高效能的PS5031-E31T SSD控制晶片也已與美光 (Micron)最新的G9 NAND以及KIOXIA BiCS8 NAND完成驗證,並且已開始量產 |
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DRAM製程節點持續微縮並增加層數 HBM容量與性能將進一步提升 (2025.01.02) 生成式AI快速發展,記憶體技術成為推動這一技術突破的關鍵。生成式 AI 的模型訓練與推理需要高速、高頻寬及低延遲的記憶體解決方案,以即時處理海量數據。因此,記憶體性能的提升已成為支撐這些應用的核心要素 |