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應用材料取得兩項低介電技術專利授權 (2001.11.28)
應用材料公司宣佈取得美國專利商標局第6,287,990號與第6,303,523兩項專利授權，範圍涵蓋運用於介質化學氣相沉積薄膜技術的先進低介電材料，將可增加下一世代晶片的速度及工作效能 |
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應用材料推出Ultima X HDP-CVD設備 (2001.06.07)
應用材料公司Ultima高密度電漿化學氣相沉積（HDP-CVD:High Density Plasma - Chemical Vapor Deposition）家族再添新成員。新推出的Ultima X設備將提供下一世代元件所須的隙縫填補能力，包括先進的淺溝隔離（STI：Shallow Trench Isolation）、金屬層間介質沉積（IMD: Inter-Metal Dielectric）和前金屬介質沉積（PMD: Pre-Metal Dielectric）等製程應用 |
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聯電12吋晶圓廠採用應用材料300mm Producer S製程設備 (2001.03.12)
應用材料公司宣佈聯華電子已經採購該公司Producer S 300化學氣相沉積製程設備，並且安裝在台南科學園區內的12吋晶圓廠。應用材料已是目前半導體業界12吋晶圓製程設備的主要供應商，這次的採購行動則進一步強化了應用材料的領導地位 |
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應用材料低k介電常數製程獲得台積電選用 (2001.01.18)
應用材料公司的黑鑽石（Black Diamond）化學氣相沉積低k介電常數薄膜製程，已被全球最大專業晶圓製造服務的台灣積體電路公司選用，將用來支援其最先進的高效能0.13微米銅導線製程 |
